ROHM场效应管RTQ025P02大量原装现货特价供应
2011-02-13
功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如SILIConix最近开发的厚度为1.5mm“Little Foot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
“MOSFET”是英文MetalOxide SemICoductor Field Effect Transistor的缩写，译成中文是“金属氧化物半导体场效应管”。它是由金属、氧化物(SiO2或SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安)，用于功率输出级的器件。
功率MOSFET的特点
功率MOSFET与双极型功率相比具有如下特点：
1．MOSFET是电压控制型器件(双极型是电流控制型器件)，因此在驱动大电流时无需推动级，电路较简单；
2．输入阻抗高，可达108Ω以上；
3．工作频率范围宽，开关速度高(开关时间为几十纳秒到几百纳秒)，开关损耗小；
4．有较优良的线性区，并且MOSFET的输入电容比双极型的输入电容小得多，所以它的交流输入阻抗极高；噪声也小，最合适制作HI-FI音响；
5．功率MOSFET可以多个并联使用，增加输出电流而无需均流电阻。
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: DC-DC Converter
MOSFET Small Signal 高速开关,2.5V低电压驱动
详细信息:
晶体管极性: P-Channel
封装 / 箱体: TSMT6
低导通阻抗: 140mΩ at 2.5V
汲极/源极击穿电压: - 20 V
漏极连续电流: -2.5A
功率耗散: 1.25 W
封装: 3K/Reel
